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GermanySH8K26GZ0TB
元器件型号详细信息
原厂型号
SH8K26GZ0TB
摘要
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
详情
MOSFET - 阵列 40V 6A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
280pF @ 10V
功率 - 最大值
2W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
基本产品编号
SH8K26
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SH8K26GZ0TBCT
SH8K26GZ0TBTR
SH8K26GZ0TBDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor SH8K26GZ0TB
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规格书
1(SH8K26)
价格
数量: 25000
单价: $2.26261
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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替代型号
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