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GermanyIXFP4N100PM
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFP4N100PM
摘要
MOSFET N-CH 1000V 2.1A TO220
详情
通孔 N 通道 1000 V 2.1A（Tc） 40W（Tc） TO-220 隔离的标片
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
73 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1456 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 隔离的标片
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
基本产品编号
IXFP4N100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFP4N100PM
相关文档
规格书
1(IXFP4N100PM)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020)
价格
数量: 300
单价: $35.9178
包装: 管件
最小包装数量: 300
包装: 管件
最小包装数量: 300
替代型号
-