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GermanyIRLML2803TRPBF-1
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLML2803TRPBF-1
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3™/SOT-23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 910mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
448-IRLML2803TRPBF-1TR
SP001558326
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLML2803TRPBF-1
相关文档
规格书
1(IRLML2803PbF-1)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 24/Jun/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022)
价格
-
替代型号
-