元器件型号详细信息

原厂型号
TK14G65W5,RQ
摘要
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
300 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 690µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
TK14G65

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TK14G65W5RQDKR
TK14G65W5RQTR
TK14G65W5,RQ(S
TK14G65W5RQCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W5,RQ

相关文档

规格书
1(TK14G65W5)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(TK14G65W5 by Ultra Librarian)

价格

数量: 1000
单价: $12.21224
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : STB18N60DM2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,000
单价. : ¥23.45000
替代类型. : 类似
型号 : IXFA12N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 204
单价. : ¥34.90000
替代类型. : 类似
型号 : IXFA22N60P3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥34.94990
替代类型. : 类似