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GermanyHN3C51F-GR(TE85L,F
元器件型号详细信息
原厂型号
HN3C51F-GR(TE85L,F
摘要
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 120V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装型 SM6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
120V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74，SOT-457
供应商器件封装
SM6
基本产品编号
HN3C51
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-ND
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
相关文档
规格书
1(HN3C51F)
PCN 产品变更/停产
1(EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014)
HTML 规格书
1(HN3C51F)
价格
-
替代型号
-