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GermanyC3M0016120D
元器件型号详细信息
原厂型号
C3M0016120D
摘要
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
详情
通孔 N 通道 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
Wolfspeed, Inc.
原厂到货时间
90 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Wolfspeed, Inc.
系列
C3M™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.3 毫欧 @ 75A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 23mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
207 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6085 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
556W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
C3M0016120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Wolfspeed, Inc. C3M0016120D
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规格书
1(C3M0016120D)
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制造商应用说明
1(Recommended Solder Profiles for Cree Inc. Power Products)
特色产品
()
PCN 封装
1(Packing Update 19/Mar/2020)
文库
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
HTML 规格书
1(C3M0016120D)
EDA 模型
1(C3M0016120D by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $559.7319
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $618.653
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $652.34
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-