元器件型号详细信息

原厂型号
STP200N6F3
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
100 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
330W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP200

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STP200N6F3

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规格书
1(STx200N6F3)
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
PCN 产品变更/停产
1(Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013)
HTML 规格书
1(STx200N6F3)

价格

-

替代型号

型号 : AOT266L
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库存 : 965
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型号 : FDP032N08
制造商 : onsemi
库存 : 1,000
单价. : ¥48.34000
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型号 : IPP037N06L3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 455
单价. : ¥16.30000
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型号 : PSMN3R0-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥29.97000
替代类型. : 类似
型号 : IRFB3206PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,173
单价. : ¥18.52000
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型号 : PHP191NQ06LT,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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制造商 : Infineon Technologies
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库存 : 2,394
单价. : ¥19.00000
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型号 : PSMN2R0-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥33.07000
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型号 : FDP038AN06A0
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥29.89000
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型号 : IRFB3306PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 618
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R6-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥22.82000
替代类型. : 类似