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GermanySI7102DN-T1-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI7102DN-T1-E3
摘要
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详情
表面贴装型 N 通道 12 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3720 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SI7102
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI7102DN-T1-E3-ND
SI7102DN-T1-E3CT
SI7102DN-T1-E3DKR
SI7102DN-T1-E3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI7102DN-T1-E3
相关文档
规格书
1(SI7102DN)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN 组装/来源
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(SI7102DN)
价格
-
替代型号
型号 : SISH410DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,220
单价. : ¥8.59000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥8.59000
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