元器件型号详细信息

原厂型号
IRL3705NSPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
89A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
98 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),170W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001558052
*IRL3705NSPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRL3705NSPBF

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PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 零件状态变更
1(Pkg Type Disc 16/May/2016)
HTML 规格书
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仿真模型
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价格

-

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