元器件型号详细信息

原厂型号
NTJD4105CT1G
摘要
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
详情
MOSFET - 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V,8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA,775mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
375 毫欧 @ 630mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
46pF @ 20V
功率 - 最大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NTJD4105

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-ND
2156-NTJD4105CT1G-OS

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTJD4105CT1G

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EDA 模型
1(NTJD4105CT1G by Ultra Librarian)

价格

数量: 75000
单价: $0.82513
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.85736
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.93472
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.99918
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.06365
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $1.16032
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.54714
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $2.0629
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $3.029
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.74
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $1.16032
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.54714
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $2.0629
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1

替代型号

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