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GermanyIXFN27N120SK
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN27N120SK
摘要
SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 底座安装 SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
87 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
基本产品编号
IXFN27
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/IXYS IXFN27N120SK
相关文档
环保信息
1(Ixys IC REACH)
特色产品
1(SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit)
价格
数量: 10
单价: $383.345
包装: 管件
最小包装数量: 10
包装: 管件
最小包装数量: 10
替代型号
-