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GermanyFDMC2523P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMC2523P
摘要
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
详情
表面贴装型 P 通道 150 V 3A（Tc） 42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
FDMC2523
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMC2523PTR
FDMC2523PCT
FDMC2523PDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDMC2523P
相关文档
规格书
1(FDMC2523P)
环保信息
()
特色产品
1(Solutions for Energy Infrastructure)
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA 模型
1(FDMC2523P by Ultra Librarian)
价格
数量: 6000
单价: $5.66372
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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替代型号
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