元器件型号详细信息

原厂型号
SIHB180N60E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 19A(Tc) 156W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1085 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
SIHB180

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIHB180N60E-GE3DKR-ND
SIHB180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHB180N60E-GE3CT
SIHB180N60E-GE3TR
SIHB180N60E-GE3CTINACTIVE
SIHB180N60E-GE3DKR
SIHB180N60E-GE3TR-ND
SIHB180N60E-GE3CT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3

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规格书
1(SIHB180N60E)
HTML 规格书
1(SIHB180N60E)

价格

数量: 1000
单价: $14.19836
包装: 散装
最小包装数量: 1000

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