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GermanyMT3S113P(TE12L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
MT3S113P(TE12L,F)
摘要
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
详情
RF 晶体管 NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W 表面贴装型 PW-MINI
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
5.3V
频率 - 跃迁
7.7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1.45dB @ 1GHz
增益
10.5dB
功率 - 最大值
1.6W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 30mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
PW-MINI
基本产品编号
MT3S113
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
MT3S113P(TE12LF)TR
MT3S113P(TE12LF)DKR
MT3S113P(TE12LF)CT
MT3S113P(TE12LF)
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P(TE12L,F)
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规格书
1(MT3S113P)
价格
数量: 1000
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