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元器件型号详细信息
原厂型号
G30N04D3
摘要
MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 30A（Tc） 19.8W（Tc） 8-DFN（3.15x3.05）
原厂/品牌
Goford Semiconductor
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Goford Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1780 pF @ 20 V
FET 功能
标准
功率耗散（最大值）
19.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（3.15x3.05）
封装/外壳
8-PowerVDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
3141-G30N04D3TR
3141-G30N04D3DKR
3141-G30N04D3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Goford Semiconductor G30N04D3
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规格书
1(G30N04D3)
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