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20250531
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元器件资讯
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SUD50N02-06P-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SUD50N02-06P-E3
摘要
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 50A(Tc) 6.8W(Ta),65W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2550 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
6.8W(Ta),65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SUD50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SUD50N02-06P-E3-ND
SUD50N02-06P-E3CT
SUD50N0206PE3
SUD50N02-06P-E3TR
SUD50N02-06P-E3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SUD50N02-06P-E3
相关文档
规格书
1(SUD50N02-06P)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Add 9/Jun/2016)
HTML 规格书
1(SUD50N02-06P)
价格
-
替代型号
型号 : IRFR3711ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,386
单价. : ¥10.18000
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型号 : STD100N3LF3
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