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GermanyAPT80SM120J
元器件型号详细信息
原厂型号
APT80SM120J
摘要
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
详情
底座安装 N 通道 1200 V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
235 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
273W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
150-APT80SM120J
APT80SM120J-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation APT80SM120J
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 16/Oct/2017)
价格
-
替代型号
-