元器件型号详细信息

原厂型号
IRLML6401TRPBF
摘要
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3™/SOT-23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
30 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
830 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
IRLML6401

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBF
IRLML6401PBFCT
SP001577044
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFCT-ND
IRLML6401GTRPBFDKR-ND
IRLML6401GTRPBFTR-ND
IRLML6401PBFDKR
SP001568584
IRLML6401PBFTR
*IRLML6401TRPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRLML6401TRPBF

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PCN 组装/来源
1(Assembly Site Addition 13/Mar/2015)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLML6401PbF)
EDA 模型
1(IRLML6401TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRLML6401 Spice Model)

价格

数量: 75000
单价: $0.81093
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
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包装: 卷带(TR)
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