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GermanyFCP190N65S3
元器件型号详细信息
原厂型号
FCP190N65S3
摘要
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 17A（Tc） 144W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
144W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FCP190N65S3-OS
ONSONSFCP190N65S3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCP190N65S3
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规格书
1(FCP190N65S3)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mat 9-29-22)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FCP190N65S3)
EDA 模型
1(FCP190N65S3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $13.64159
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $14.17448
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $28.22
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : TK16E60W,S1VX
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥19.26100
替代类型. : 直接
库存 : 0
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型号 : SIHP22N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
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库存 : 0
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库存 : 0
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库存 : 0
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型号 : IXKP20N60C5
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库存 : 0
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型号 : IXFP22N65X2
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库存 : 188
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库存 : 19,412
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库存 : 940
单价. : ¥27.67000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥27.67000
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