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GermanyFQU2N100TU
元器件型号详细信息
原厂型号
FQU2N100TU
摘要
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
详情
通孔 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
70
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 欧姆 @ 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
520 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
FQU2N100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FQU2N100TU-OS
ONSONSFQU2N100TU
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQU2N100TU
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规格书
1(FQD2N100, FQU2N100)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FQD2N100, FQU2N100)
价格
数量: 10000
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单价: $4.80115
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数量: 1
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最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STU7N105K5
制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥0.00000
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