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GermanyH5N2007LSTL-E
元器件型号详细信息
原厂型号
H5N2007LSTL-E
摘要
MOSFET N-CH HS SW TO-263
详情
25A（Tj）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
-
技术
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
-
供应商器件封装
-
封装/外壳
-
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc H5N2007LSTL-E
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价格
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替代型号
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