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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFHM8363TR2PBF
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 11A 2.7W 表面贴装型 8-PQFN 双（3.3x3.3）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1165pF @ 10V
功率 - 最大值
2.7W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-PQFN 双（3.3x3.3）
基本产品编号
IRFHM8363
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFHM8363TR2PBFTR
IRFHM8363TR2PBFDKR
SP001564106
IRFHM8363TR2PBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF
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HTML 规格书
1(IRFHM8363PbF)
EDA 模型
1(IRFHM8363TR2PBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRFHM8363TR2PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
-