English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAPTC60DDAM70T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTC60DDAM70T1G
摘要
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
详情
MOSFET - 阵列 600V 39A 250W 底座安装 SP1
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
66 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
CoolMOS™
包装
托盘
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双路降压斩波器）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 39A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
259nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7000pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
基本产品编号
APTC60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microchip Technology APTC60DDAM70T1G
相关文档
规格书
1(APTC60DDAM70T1G)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 23/Feb/2023)
PCN 封装
1(Package change 11/Oct/2021)
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APTC60DDAM70T1G)
价格
数量: 17
单价: $500.30588
包装: 托盘
最小包装数量: 17
包装: 托盘
最小包装数量: 17
替代型号
-