English
Spain
Rusia
Italy
GermanyRJP65T54DPM-A0#T2
元器件型号详细信息
原厂型号
RJP65T54DPM-A0#T2
摘要
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
详情
IGBT 沟道 650 V 60 A 63.5 W 通孔 TO-3PFP
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值
63.5 W
开关能量
330µJ（开），760µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
72 nC
25°C 时 Td（开/关）值
35ns/120ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
SC-94
供应商器件封装
TO-3PFP
基本产品编号
RJP65T54
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Renesas Electronics America Inc RJP65T54DPM-A0#T2
相关文档
规格书
1(RJP65T54DPM-A0)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(RJP65T54DPM-A0#T2 by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $14.97189
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $15.42106
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $16.23267
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $19.24734
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $22.6095
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $27.594
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $30.69
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IKW30N65ES5XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,998
单价. : ¥40.94000
替代类型. : 类似
库存 : 2,998
单价. : ¥40.94000
替代类型. : 类似