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元器件型号详细信息
原厂型号
50MT060WH
摘要
IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP
详情
IGBT 模块 PT 半桥 600 V 114 A 658 W 底座安装 12-MTP
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
15
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
产品状态
停产
IGBT 类型
PT
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
114 A
功率 - 最大值
658 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.2V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
400 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
7.1 nF @ 30 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
12-MTP 模块
供应商器件封装
12-MTP
基本产品编号
50MT060
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
VS50MT060WH
VS50MT060WH-ND
*50MT060WH
VS-50MT060WH
VS-50MT060WH-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50MT060WH
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规格书
1(50MT060WH)
HTML 规格书
1(50MT060WH)
价格
-
替代型号
-