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GermanyCSD87335Q3DT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD87335Q3DT
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 25A
详情
MOSFET - 阵列 30V 25A 6W 表面贴装型 8-LSON（3.3x3.3）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1050pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON（3.3x3.3）
基本产品编号
CSD87335Q3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-43923-6
296-43923-2
296-43923-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD87335Q3DT
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规格书
1(CSD87335Q3D Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(CSDYYY 13/Feb/2017)
制造商产品页面
1(CSD87335Q3DT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD87335Q3D Datasheet)
EDA 模型
1(CSD87335Q3DT by Ultra Librarian)
价格
数量: 1250
单价: $7.52455
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 500
单价: $8.7786
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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替代型号
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