元器件型号详细信息

原厂型号
FDP8N50NZ
摘要
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
详情
通孔 N 通道 500 V 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
UniFET™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
850 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
735 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP8

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDP8N50NZ

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1(TO220B03 Pkg Drawing)

价格

数量: 10000
单价: $5.36839
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.57808
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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