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GermanyBUT12AI,127
元器件型号详细信息
原厂型号
BUT12AI,127
摘要
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 450 V 8 A 110 W 通孔 TO-220AB
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
8 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
450 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.5V @ 860mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
14 @ 1A，5V
功率 - 最大值
110 W
频率 - 跃迁
-
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
基本产品编号
BUT12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934050220127
BUT12AI
BUT12AI-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/NXP USA Inc. BUT12AI,127
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规格书
1(BUT12AI)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 30/Jun/2009)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BUT12AI)
价格
-
替代型号
型号 : MJE18008G
制造商 : onsemi
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