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GermanyU1B-M3/5AT
元器件型号详细信息
原厂型号
U1B-M3/5AT
摘要
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
详情
二极管 100 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
10 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
100 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
920 mV @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
15 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容
6.8pF @ 4V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-214AC，SMA
供应商器件封装
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
U1B
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division U1B-M3/5AT
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规格书
1(U1B, U1C & U1D)
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 21/Jun/2022)
HTML 规格书
1(U1B, U1C & U1D)
价格
数量: 15000
单价: $0.68735
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 15000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 15000
替代型号
型号 : ES1B-E3/5AT
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 30,605
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 参数等效
库存 : 30,605
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 参数等效
型号 : ES1B-E3/61T
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 161,458
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 参数等效
库存 : 161,458
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 参数等效
型号 : ES1BHE3_A/H
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 15,031
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 参数等效
库存 : 15,031
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 参数等效
型号 : ES1B-13-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 846,385
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 参数等效
库存 : 846,385
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 参数等效