English
Spain
Rusia
Italy
GermanySSM6N48FU,RF(D
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6N48FU,RF(D
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
详情
MOSFET - 阵列 30V 100mA（Ta） 300mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15.1pF @ 3V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
SSM6N48
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D
相关文档
规格书
1(SSM6N48FU)
EDA 模型
1(SSM6N48FU by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : SSM6N48FU,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥0.66779
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥0.66779
替代类型. : 直接