最后更新
20250601
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
AIHD06N60RATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
AIHD06N60RATMA1
摘要
IC DISCRETE 600V TO252-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 12 A 100 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
12 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
18 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,6A
功率 - 最大值
100 W
开关能量
110µJ(开),220µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
48 nC
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/127ns
测试条件
400V,6A,23 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
基本产品编号
AIHD06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies AIHD06N60RATMA1
相关文档
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(AIHD06N60R)
价格
-
替代型号
型号 : IKD06N60RFATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥10.73000
替代类型. : 参数等效
相似型号
HW-08-15-LM-S-325-SM
JANTXV2N2904
CTVPS00RF-23-53HD-LC
DW-06-15-G-S-250
P11A2Q0EJSY00T1092