FDB3652

元器件型号详细信息

原厂型号

FDB3652

摘要

MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

剪切带（CT）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Ta），61A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

16 毫欧 @ 61A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

53 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2880 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

150W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FDB365

其它名称

FDB3652DKR

FDB3652TR

FDB3652-ND

FAIFSCFDB3652

2156-FDB3652

FDB3652CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB3652

价格

数量: 100

单价: $12.7543
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.867
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $17.65
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $12.7543
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.867
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $17.65
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : PSMN027-100BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,168
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似

型号 : IRFS4510TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,700
单价. : ¥16.85000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN015-100B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,578
单价. : ¥16.77000
替代类型. : 类似

型号 : IPB144N12N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,944
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA80N10T

制造商 : IXYS
库存 : 8,054
单价. : ¥30.61000
替代类型. : 类似

1210Y0500820GCR 1200060563 D38999/26MJ46BA H8BXT-10104-N6 "PBRP113ZT,215"

FDB3652

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