元器件型号详细信息

原厂型号
IPU50R1K4CEBKMA1
摘要
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
详情
通孔 N 通道 500 V 3.1A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 900mA,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
178 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
基本产品编号
IPU50R

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

INFINFIPU50R1K4CEBKMA1
SP001022958
2156-IPU50R1K4CEBKMA1-IT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1

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价格

-

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