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GermanySQM50N04-4M1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQM50N04-4M1_GE3
摘要
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D²Pak）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6715 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D²Pak）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SQM50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQM50N04-4M1_GE3-ND
SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1_GE3CT
SQM50N04-4M1-GE3-ND
SQM50N04-4M1_GE3TR
SQM50N04-4M1_GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQM50N04-4M1_GE3
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规格书
1(SQM50N04-4M1-GE3)
PCN 组装/来源
1(SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQM50N04-4M1-GE3)
价格
数量: 800
单价: $13.66811
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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