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20250504
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元器件资讯
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MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
摘要
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
详情
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 16Gb 2.133 GHz 200-WFBGA(10x14.5)
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量
16Gb
存储器组织
512M x 32
存储器接口
-
时钟频率
2.133 GHz
写周期时间 - 字,页
-
电压 - 供电
1.1V
工作温度
-30°C ~ 85°C(TC)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
200-WFBGA
供应商器件封装
200-WFBGA(10x14.5)
基本产品编号
MT53D512
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
其它名称
MT53D512M32D2NP-046WTES:ETR
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
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