元器件型号详细信息

原厂型号
FQPF19N10
摘要
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
详情
通孔 N 通道 100 V 13.6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 6.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
780 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF19

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQPF19N10

相关文档

规格书
1(FQPF19N10)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
()

价格

数量: 500
单价: $6.11116
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.3979
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.492
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.65
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRFI530NPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,368
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似