元器件型号详细信息

原厂型号
SCT30N120H
摘要
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 40A(Tc) 270W(Tc) H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
105 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1700 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
270W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
SCT30

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-SCT30N120HDKR
SCT30N120H-ND
497-SCT30N120HTR
497-SCT30N120HCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics SCT30N120H

相关文档

规格书
1(SCT30N120H)
PCN 设计/规格
1(SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022)
PCN 组装/来源
1(SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
EDA 模型
1(SCT30N120H by Ultra Librarian)

价格

数量: 1000
单价: $142.84211
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $142.84212
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 250
单价: $146.36552
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $153.4318
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 25
单价: $171.5996
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $179.677
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $194.84
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最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $194.84
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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