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GermanyIGLD60R190D1AUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGLD60R190D1AUMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolGaN™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1，6V @ 960µA
Vgs（最大值）
-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
157 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-LSON-8-1
封装/外壳
8-LDFN 裸焊盘
基本产品编号
IGLD60
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IGLD60R190D1AUMA1DKR
448-IGLD60R190D1AUMA1TR
448-IGLD60R190D1AUMA1CT
SP001705426
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1
相关文档
规格书
1(IGLD60R190D1)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 28/Jun/2021)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021)
EDA 模型
()
价格
-
替代型号
型号 : IGLD60R190D1AUMA3
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 100
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
库存 : 100
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接