元器件型号详细信息

原厂型号
DMNH10H028SCT
摘要
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详情
通孔 N 通道 100 V 60A(Tc) 2.8W(Ta) TO-220-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1942 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMNH10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-DMNH10H028SCTDI-5
DMNH10H028SCTDI-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMNH10H028SCT

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规格书
1(DMNH10H028SCT)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 06/Dec/2019)

价格

数量: 10000
单价: $4.71194
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $4.896
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $5.15369
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $5.52184
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.86
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.16
包装: 管件
最小包装数量: 1

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