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GermanyBSV236SPH6327XTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSV236SPH6327XTSA1
摘要
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 1.5A（Ta） 560mW（Ta） PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
228 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
560mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
基本产品编号
BSV236
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSV236SPH6327XT
BSV236SP H6327
SP000917672
BSV236SP H6327TR-ND
BSV236SP H6327DKR
BSV236SP H6327CT-ND
BSV236SPH6327XTSA1CT
BSV236SP H6327DKR-ND
BSV236SP H6327-ND
BSV236SP H6327CT
BSV236SPH6327
BSV236SPH6327XTSA1DKR
BSV236SPH6327XTSA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1
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HTML 规格书
1(BSV236SP)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 20V P-Channel Spice Model)
价格
数量: 75000
单价: $0.90499
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 30000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
型号 : SI1403BDL-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
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