最后更新
20250413
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
CY7C1020BN-12VXC
元器件型号详细信息
原厂型号
CY7C1020BN-12VXC
摘要
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
详情
SRAM - 异步 存储器 IC 512Kb 并联 12 ns 44-SOJ
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
17
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
512Kb
存储器组织
32K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字,页
12ns
访问时间
12 ns
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装
44-SOJ
基本产品编号
CY7C1020
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2B
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
2156-CY7C1020BN-12VXC-CY
CYPCYPCY7C1020BN-12VXC
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Infineon Technologies CY7C1020BN-12VXC
相关文档
规格书
1(CY7C1020BN)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(CY7C1020BN)
价格
-
替代型号
-
相似型号
RK73B2HTTE242J
HMTSW-210-28-L-D-730-RA
CPS22-LA00A10-SNCCWTWF-AI0RBVAR-W1064-S
RN73H1JTTD6652B50
TMM-142-01-SM-S-RA-040