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GermanyIRL6283MTRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL6283MTRPBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 38A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 38A（Ta），211A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） DIRECTFET™ MD
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Ta），211A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.75 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
158 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8292 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），63W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MD
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MD
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001578706
IRL6283MTRPBF-ND
IRL6283MTRPBFTR
IRL6283MTRPBFCT
IRL6283MTRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRL6283MTRPBF
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规格书
1(IRL6283MTRPBF)
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()
PCN 其他
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HTML 规格书
1(IRL6283MTRPBF)
价格
-
替代型号
-