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GermanyCSD19532KTTT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19532KTTT
摘要
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Ta） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5060 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
基本产品编号
CSD19532
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-CSD19532KTTT
296-43211-6
TEXTISCSD19532KTTT
296-43211-1
296-43211-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19532KTTT
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规格书
1(CSD19532KTT Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD19532KTTT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19532KTT Datasheet)
EDA 模型
()
价格
数量: 1250
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