IPB025N10N3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB025N10N3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.5 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 275µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

206 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

14800 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-7

封装/外壳

TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

基本产品编号

IPB025

其它名称

IPB025N10N3GATMA1DKR

IPB025N10N3G

IPB025N10N3 GDKR-ND

IPB025N10N3 G

IPB025N10N3GATMA1CT

IPB025N10N3 GTR

IPB025N10N3 GTR-ND

IPB025N10N3 G-ND

SP000469888

IPB025N10N3 GCT-ND

IPB025N10N3GATMA1TR

IPB025N10N3 GDKR

IPB025N10N3 GCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB025N10N3GATMA1

价格

数量: 2000

单价: $29.65095
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $30.7914
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $35.35306
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $40.5994
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $49.035
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $54.3
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $35.35306
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $40.5994
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $49.035
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $54.3
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

DW-08-10-G-D-449 1490T-31-B TLW-131-06-SM-S TAJD475K050ESA 4470-08K

IPB025N10N3GATMA1

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