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GermanyTSM500P02DCQ RFG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM500P02DCQ RFG
摘要
MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
详情
MOSFET - 阵列 20V 4.7A（Tc） 620mW 表面贴装型 6-TDFN（2x2）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1230pF @ 10V
功率 - 最大值
620mW
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-TDFN（2x2）
基本产品编号
TSM500
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
TSM500P02DCQRFGTR
TSM500P02DCQRFGCT
TSM500P02DCQ RFGDKR-ND
TSM500P02DCQ RFGCT
TSM500P02DCQ RFGTR
TSM500P02DCQ RFGTR-ND
TSM500P02DCQ RFGCT-ND
TSM500P02DCQ RFGDKR
TSM500P02DCQRFGDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG
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1(TSM500P02D)
环保信息
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HTML 规格书
1(TSM500P02D)
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1(TSM500P02DCQ RFG by SnapEDA)
价格
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
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