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元器件型号详细信息
原厂型号
CSD18532NQ5B
摘要
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 22A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5340 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD18532
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-296-36445-1
-296-36445-1-ND
296-36445-1
296-36445-2
CSD18532NQ5B-ND
296-36445-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD18532NQ5B
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规格书
1(CSD18532NQ5B)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
PCN 组装/来源
1(Multi Devices 23/Jun/2017)
HTML 规格书
1(CSD18532NQ5B)
EDA 模型
1(CSD18532NQ5B by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $9.1262
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $9.4772
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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