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GermanyPSMN1R7-25YLC,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN1R7-25YLC,115
摘要
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 100A（Tc） 164W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3735 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
164W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669
基本产品编号
PSMN1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
954-PSMN1R7-25YLC115
568-6723-6
2156-PSMN1R7-25YLC,115-ND
934065198115
2156-PSMN1R7-25YLC115-NXTR-ND
568-6723-1
NEXNXPPSMN1R7-25YLC,115
568-6723-2
PSMN1R725YLC115
2156-PSMN1R7-25YLC115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PSMN1R7-25YLC,115
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 25/Dec/2013)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN2R0-30YLE,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,103
单价. : ¥15.34000
替代类型. : 类似
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