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GermanyNVTFS6H888NTAG
元器件型号详细信息
原厂型号
NVTFS6H888NTAG
摘要
MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 4.7A（Ta），12A（Tc） 2.9W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Ta），12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
220 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Ta），18W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NVTFS6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVTFS6H888NTAGOSTR
NVTFS6H888NTAGOSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVTFS6H888NTAG
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规格书
1(NVTFS6H888N)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NVTFS6H888N)
EDA 模型
1(NVTFS6H888NTAG by Ultra Librarian)
价格
数量: 37500
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