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GermanySSM6N36FE,LM
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6N36FE,LM
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
详情
MOSFET - 阵列 20V 500mA 150mW 表面贴装型 ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
630 毫欧 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.23nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46pF @ 10V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
SSM6N36
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM6N36FETE85LF
SSM6N36FE,LM(T
SSM6N36FE(TE85LF)DKR
SSM6N36FELM(TCT
SSM6N36FELM(TCT-ND
264-SSM6N36FE,LMCT
264-SSM6N36FE,LMDKR
SSM6N36FE(TE85L,F)
SSM6N36FE,LM(B
SSM6N36FELM(TDKR-ND
SSM6N36FELMDKR
SSM6N36FELMCT-ND
SSM6N36FE(TE85LF)DKR-ND
SSM6N36FELM(TTR
SSM6N36FELMTR-ND
SSM6N36FELMCT
SSM6N36FELM(TDKR
SSM6N36FELMTR
SSM6N36FELMDKR-ND
SSM6N36FELM(TTR-ND
SSM6N36FE(TE85LF)CT
SSM6N36FE(TE85LF)CT-ND
SSM6N36FE(TE85LF)TR-ND
SSM6N36FE(TE85LF)TR
264-SSM6N36FE,LMTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM
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产品培训模块
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价格
数量: 100000
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