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GermanyBZT03C39-TAP
元器件型号详细信息
原厂型号
BZT03C39-TAP
摘要
TVS DIODE 33VWM 54.1VC SOD57
详情
二极管 - 齐纳 39 V 1.3 W ±5.13% 通孔 SOD-57
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
22 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
BZT03
包装
剪切带（CT）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
39 V
容差
±5.13%
功率 - 最大值
1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt)
40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 30 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 500 mA
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
SOD-57，轴向
供应商器件封装
SOD-57
基本产品编号
BZT03C39
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
BZT03C39-TAPGICT
BZT03C39-TAPGITB
BZT03C39-TAP-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C39-TAP
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